Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
HS8K11TB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: HSML3030L10	Disponibile3.438
HS8K1TB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 30V NCH+NCH POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC, 7.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF, 429pF @ 15V Potenza - Max: 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: HSML3030L10	Disponibile27.732
HTMN5130SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 218.7pF @ 25V Potenza - Max: 1.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.598
HUF76407DK8T ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V SOP-8 Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.132
HUFA76404DK8T ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 62V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile4.320
HUFA76407DK8T ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile27.329
HUFA76407DK8T-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.148
HUFA76413DK8T ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.418
HUFA76413DK8T-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile18.648
HUFA76504DK8T ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile8.190
IPG15N06S3L-45 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1420pF @ 25V Potenza - Max: 21W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile7.002
IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V Potenza - Max: 29W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile7.560
IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V Potenza - Max: 29W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile7.128
IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V Potenza - Max: 29W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile2.790
IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Potenza - Max: 65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile4.986
IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Potenza - Max: 65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile5.256
IPG20N04S412AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V Potenza - Max: 41W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile2.952
IPG20N04S412ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V Potenza - Max: 41W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile6.498
IPG20N04S4L07AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V Potenza - Max: 65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile3.852
IPG20N04S4L07ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V Potenza - Max: 65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile8.082
IPG20N04S4L08AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V Potenza - Max: 54W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile5.526
IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V Potenza - Max: 54W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile182.286
IPG20N04S4L11AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V Potenza - Max: 41W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile8.208
IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V Potenza - Max: 41W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile120.084
IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V Potenza - Max: 65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile77.562
IPG20N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V Potenza - Max: 65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile37.296
IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V Potenza - Max: 51W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile4.122
IPG20N06S2L50ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V Potenza - Max: 51W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile3.690
IPG20N06S2L65AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V Potenza - Max: 43W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile37.596
IPG20N06S3L-23 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V Potenza - Max: 45W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile6.642

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