HUFA76413DK8T
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| Numero parte | HUFA76413DK8T |
| PNEDA Part # | HUFA76413DK8T |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.418 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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HUFA76413DK8T Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HUFA76413DK8T |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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HUFA76413DK8T Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | UltraFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 5.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Potenza - Max | 2.5W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 10V Potenza - Max 3.1W Temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Sanken Serie - Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V Potenza - Max 5W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 15-SIP Pacchetto dispositivo fornitore 15-SIP |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 775pF @ 10V Potenza - Max 620mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-TDFN (2x2) |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
