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HTMN5130SSD-13

HTMN5130SSD-13

Solo per riferimento

Numero parte HTMN5130SSD-13
PNEDA Part # HTMN5130SSD-13
Descrizione MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HTMN5130SSD-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHTMN5130SSD-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
HTMN5130SSD-13, HTMN5130SSD-13 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 401,46 KB)
PDFHTMN5130SSD-13 Datasheet Copertura
HTMN5130SSD-13 Datasheet Pagina 2 HTMN5130SSD-13 Datasheet Pagina 3 HTMN5130SSD-13 Datasheet Pagina 4 HTMN5130SSD-13 Datasheet Pagina 5 HTMN5130SSD-13 Datasheet Pagina 6

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HTMN5130SSD-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds218.7pF @ 25V
Potenza - Max1.7W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

445pF @ 15V

Potenza - Max

7.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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Produttore

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Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

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