IPG20N04S4L08AATMA1
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| Numero parte | IPG20N04S4L08AATMA1 |
| PNEDA Part # | IPG20N04S4L08AATMA1 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.526 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPG20N04S4L08AATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPG20N04S4L08AATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IPG20N04S4L08AATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 22µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 25V |
| Potenza - Max | 54W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount, Wettable Flank |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-10 |
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Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 115mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Potenza - Max 200mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1407pF @ 40V Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5316pF @ 25V Potenza - Max 208W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
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