HUF76407DK8T
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| Numero parte | HUF76407DK8T |
| PNEDA Part # | HUF76407DK8T |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V SOP-8 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.132 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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HUF76407DK8T Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HUF76407DK8T |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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HUF76407DK8T Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | UltraFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Potenza - Max | 2.5W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95) |
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