Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPG20N06S3L-35 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 25V Potenza - Max: 30W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile5.814
IPG20N06S415AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Potenza - Max: 50W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile365.664
IPG20N06S415ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Potenza - Max: 50W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile8.190
IPG20N06S415ATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Potenza - Max: 50W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile6.930
IPG20N06S4L11AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Potenza - Max: 65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile8.406
IPG20N06S4L11ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Potenza - Max: 65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile3.924
IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V Potenza - Max: 50W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile7.038
IPG20N06S4L14ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V Potenza - Max: 50W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile2.934
IPG20N06S4L14ATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V Potenza - Max: 50W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile8.208
IPG20N06S4L26AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V Potenza - Max: 33W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile80.388
IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V Potenza - Max: 33W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile239.598
IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V Potenza - Max: 43W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile7.254
IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V Potenza - Max: 60W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile215.058
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V Potenza - Max: 60W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile48.120
IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V Potenza - Max: 43W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-10	Disponibile3.454
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 8TDSON Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V Potenza - Max: 43W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-4	Disponibile76.464
IRF3546MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 41-PowerVFQFN Pacchetto dispositivo fornitore: 41-PQFN (6x8)	Disponibile4.104
IRF3575DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 303A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-PowerWFQFN Pacchetto dispositivo fornitore: 32-PQFN (6x6)	Disponibile7.002
IRF40H233XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array TRENCH <= 40V Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.480
IRF5810 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile5.886
IRF5810TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile6.462
IRF5810TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile5.166
IRF5850 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile4.392
IRF5850TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile5.292
IRF5850TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile8.604
IRF5851 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A, 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile2.100
IRF5851TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A, 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile4.824
IRF5851TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A, 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile2.376
IRF5852 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile36.857
IRF5852TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile7.668

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