IPG20N04S412ATMA1
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| Numero parte | IPG20N04S412ATMA1 |
| PNEDA Part # | IPG20N04S412ATMA1 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.498 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPG20N04S412ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPG20N04S412ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IPG20N04S412ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 15µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1470pF @ 25V |
| Potenza - Max | 41W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-4 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 481pF @ 15V, 996pF @ 15V Potenza - Max 1.96W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8 (Type D) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A, 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V Potenza - Max 700mW, 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-Power33 (3x3) |
