IPG20N04S4L11ATMA1
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| Numero parte | IPG20N04S4L11ATMA1 |
| PNEDA Part # | IPG20N04S4L11ATMA1 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 120.084 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPG20N04S4L11ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPG20N04S4L11ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IPG20N04S4L11ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 15µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V |
| Potenza - Max | 41W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-4 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1465pF @ 15V Potenza - Max 4.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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