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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRF7306PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile412
IRF7104PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6
IRF7910PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile262
IRF5852 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Potenza - Max: 960mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile36.857
IRF9953TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile10.503
IRF9953 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile629
AOE6930 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaMOS Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V Potenza - Max: 24W, 75W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6)	Disponibile7.858
EFC6612R-TF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 6-CSP (1.77x3.54)	Disponibile12.551
FDZ1905PZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 6-WLCSP Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UFBGA, WLCSP Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WLCSP (1.0x1.5)	Disponibile7.466
DMT6018LDR-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030- Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V Potenza - Max: 1.9W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3030-8	Disponibile202
ECH8691-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile34.441
DMC3016LNS-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V Potenza - Max: 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8	Disponibile4.235
EFC2J013NUZTDG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WLCSP (2x1.49)	Disponibile14.475
DMC1229UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile2.464
DMC25D1UVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V, 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA, 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 10V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile44.549
DMN2028UFU-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2030-6 (Type B)	Disponibile509
DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Potenza - Max: 820mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile118
FDME1024NZT ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Potenza - Max: 600mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (1.6x1.6)	Disponibile775
TPS1120D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Produttore: Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 15V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 840mW Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.677
FDMC7208S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A, 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Power33 (3x3)	Disponibile5.583
ECH8654-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile43.310
DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V Potenza - Max: 660mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 12-UFQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-QFN1515-12	Disponibile949
CSD87503Q3E Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V Potenza - Max: 15.6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3)	Disponibile9
DMN1006UCA6-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: X3-DSN2718-6	Disponibile11.129
US6M2GTR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V, 150pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6	Disponibile73
MCH6664-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 1.5A SOT363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88FL/MCPH6	Disponibile22
DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V Potenza - Max: 770mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3020-8	Disponibile16.800
EFC6605R-TR ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH EFCP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.6W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 6-EFCP (1.9x1.46)	Disponibile9.276
DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V Potenza - Max: 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile2.642
SP8M4FRATB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile810

IRF7306PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile412

IRF7104PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile6

IRF7910PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile262

IRF5852

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Potenza - Max: 960mW
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP

Disponibile36.857

IRF9953TR

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile10.503

IRF9953

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile629

AOE6930

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN

Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie: AlphaMOS
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V
Potenza - Max: 24W, 75W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6)

Disponibile7.858

EFC6612R-TF

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: 2.5W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-CSP (1.77x3.54)

Disponibile12.551

FDZ1905PZ

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 6-WLCSP

Produttore: ON Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: 900mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 6-UFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WLCSP (1.0x1.5)

Disponibile7.466

DMT6018LDR-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V
Potenza - Max: 1.9W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3030-8

Disponibile202

ECH8691-TL-W

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH ECH8

Produttore: ON Semiconductor
Serie: *
Tipo FET: -
Funzione FET: -
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile34.441

DMC3016LNS-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo FET: N and P-Channel Complementary
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Potenza - Max: 1.3W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8

Disponibile4.235

EFC2J013NUZTDG

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: 1.8W (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WLCSP (2x1.49)

Disponibile14.475

DMC1229UFDB-13

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo FET: N and P-Channel
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Potenza - Max: 1.4W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)

Disponibile2.464

DMC25D1UVT-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo FET: N and P-Channel
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 25V, 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA, 3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 10V
Potenza - Max: 1.3W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26

Disponibile44.549

DMN2028UFU-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Potenza - Max: 900mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2030-6 (Type B)

Disponibile509

DMN61D8LVTQ-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Potenza - Max: 820mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26

Disponibile118

FDME1024NZT

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET

Produttore: ON Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Potenza - Max: 600mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (1.6x1.6)

Disponibile775

TPS1120D

Texas Instruments

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

Produttore:
Serie: -
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: 840mW
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile3.677

FDMC7208S

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33

Produttore: ON Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Potenza - Max: 800mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Power33 (3x3)

Disponibile5.583

ECH8654-TL-H

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Potenza - Max: 1.5W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH

Disponibile43.310

DMN1250UFEL-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo FET: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Potenza - Max: 660mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 12-UFQFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: U-QFN1515-12

Disponibile949

CSD87503Q3E

Texas Instruments

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON

Produttore:
Serie: NexFET™
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V
Potenza - Max: 15.6W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3)

Disponibile9

DMN1006UCA6-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Potenza - Max: 2.4W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: X3-DSN2718-6

Disponibile11.129

US6M2GTR

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: N and P-Channel
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V, 150pF @ 10V
Potenza - Max: 1W
Temperatura di esercizio: 150°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6

Disponibile73

MCH6664-TL-W

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A SOT363

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V
Potenza - Max: 800mW
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88FL/MCPH6

Disponibile22

DMN3035LWN-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 399pF @ 15V
Potenza - Max: 770mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3020-8

Disponibile16.800

EFC6605R-TR

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH EFCP

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: 1.6W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-EFCP (1.9x1.46)

Disponibile9.276

DMC2038LVTQ-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo FET: N and P-Channel Complementary
Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V
Potenza - Max: 800mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26

Disponibile2.642

SP8M4FRATB

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo FET: N and P-Channel
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP

Disponibile810

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