DMN61D8LVTQ-7
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| Numero parte | DMN61D8LVTQ-7 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | DMN61D8LVTQ-7 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 118 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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DMN61D8LVTQ-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN61D8LVTQ-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMN61D8LVTQ-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 630mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 150mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Potenza - Max | 820mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
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