ECH8691-TL-W
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| Numero parte | ECH8691-TL-W | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | ECH8691-TL-W | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2P-CH ECH8 | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 34.441 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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ECH8691-TL-W Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | ECH8691-TL-W |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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ECH8691-TL-W Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Funzione FET | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A, 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 50V Potenza - Max 2.4W, 3.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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