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CSD87503Q3E

CSD87503Q3E

Solo per riferimento

Numero parte CSD87503Q3E
PNEDA Part # CSD87503Q3E
Descrizione MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
Produttore Texas Instruments
Prezzo unitario
1 ---------- $2,7821
250 ---------- $2,6517
500 ---------- $2,5213
1.000 ---------- $2,3909
2.500 ---------- $2,2822
5.000 ---------- $2,1735
Disponibile 9
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CSD87503Q3E Risorse

Brand Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCSD87503Q3E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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CSD87503Q3E Specifiche

Produttore
SerieNexFET™
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Source
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1020pF @ 15V
Potenza - Max15.6W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-VSON (3.3x3.3)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 9V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI7212DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

SI6954ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

114pF @ 10V

Potenza - Max

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