IRF5852
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| Numero parte | IRF5852 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | IRF5852 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP | ||||||||||||||||||
| Produttore | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 36.857 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IRF5852 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF5852 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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IRF5852 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Potenza - Max | 960mW |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 393pF @ 15V Potenza - Max 900mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8 |
