US6M2GTR
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| Numero parte | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
| Descrizione | 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN | ||||||||||||||||||
| Produttore | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 73 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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US6M2GTR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | US6M2GTR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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US6M2GTR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V, 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A, 1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V, 150pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-SMD, Flat Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TUMT6 |
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