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Numero parte	Descrizione	Disponibile
AZ23C4V7-E3-08 Vishay Semiconductor Diodes Division	Diodi Zener - Array DIODE ZENER 4.7V 300MW SOT23 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Configurazione: 1 Pair Common Anode Tensione - Zener (Nom) (Vz): 4.7V Tolleranza: ±5% Potenza - Max: 300mW Impedenza (Max) (Zzt): 78 Ohms Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile120.329
BZB84-B5V1,215 Nexperia	Diodi Zener - Array DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Configurazione: 1 Pair Common Anode Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.1V Tolleranza: ±2% Potenza - Max: 300mW Impedenza (Max) (Zzt): 480 Ohms Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 2V Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile22.003
AZ23C5V6-7-F Diodes Incorporated	Diodi Zener - Array DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Configurazione: 1 Pair Common Anode Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.6V Tolleranza: ±5% Potenza - Max: 300mW Impedenza (Max) (Zzt): 40 Ohms Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 1V Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile360.577
MUN2111T1 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 230mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59	Disponibile22.566
UPA2352T1P-E4-A Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH DUAL LGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V Potenza - Max: 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-XFLGA Pacchetto dispositivo fornitore: 4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)	Disponibile22.000
UPA1981TE-T1-A Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.967
AO8801 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET P-CH DUAL 8TSSOP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 10V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile1.869
EMH2407-S-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile56.673
FDMS7606 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.5A, 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: Power56	Disponibile125
SI4618DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A, 15.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1535pF @ 15V Potenza - Max: 1.98W, 4.16W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile9.779
EMH2314-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 6V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH	Disponibile24.437
VEC2415-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-28FL/VEC8	Disponibile21.949
ECH8664R-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile23.450
ECH8649-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 10V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH	Disponibile9.048
IRL6372PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile16.979
IRLHS6376TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PQFN (2x2)	Disponibile53
SI7964DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile373
AO6804 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4A 6TSOP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile40.240
SI1029X-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V SOT563F Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 305mA, 190mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-89-6	Disponibile3.955
FDZ2554P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 10V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 18-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 18-BGA (2.5x4)	Disponibile974
IRF7905PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A, 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile226
ZXMD63C03XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile392
ZXMD63C02XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile410
FDS9933 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile645
FDS8958 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A, 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile600
FDS4935 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile4.184
FDS6982 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A, 8.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile23.267
IRF7342PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile238
IRF7329PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile123
IRF7316PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile473

AZ23C4V7-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Diodi Zener - Array

DIODE ZENER 4.7V 300MW SOT23

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Configurazione: 1 Pair Common Anode
Tensione - Zener (Nom) (Vz): 4.7V
Tolleranza: ±5%
Potenza - Max: 300mW
Impedenza (Max) (Zzt): 78 Ohms
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23

Disponibile120.329

BZB84-B5V1,215

Nexperia

Diodi Zener - Array

DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT23

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q101
Configurazione: 1 Pair Common Anode
Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.1V
Tolleranza: ±2%
Potenza - Max: 300mW
Impedenza (Max) (Zzt): 480 Ohms
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 2V
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA
Temperatura di esercizio: 150°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB

Disponibile22.003

AZ23C5V6-7-F

Diodes Incorporated

Diodi Zener - Array

DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT23-3

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Configurazione: 1 Pair Common Anode
Tensione - Zener (Nom) (Vz): 5.6V
Tolleranza: ±5%
Potenza - Max: 300mW
Impedenza (Max) (Zzt): 40 Ohms
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 1V
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

Disponibile360.577

MUN2111T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
Frequenza - Transizione: -
Potenza - Max: 230mW
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59

Disponibile22.566

UPA2352T1P-E4-A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N-CH DUAL LGA

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss): 24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V
Potenza - Max: 750mW (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-XFLGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)

Disponibile22.000

UPA1981TE-T1-A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo FET: -
Funzione FET: -
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile3.967

AO8801

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET P-CH DUAL 8TSSOP

Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie: -
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 10V
Potenza - Max: 1.4W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP

Disponibile1.869

EMH2407-S-TL-H

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: -
Funzione FET: -
Tensione Drain to Source (Vdss): -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH

Disponibile56.673

FDMS7606

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56

Produttore: ON Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.5A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Potenza - Max: 1W
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: Power56

Disponibile125

SI4618DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A, 15.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1535pF @ 15V
Potenza - Max: 1.98W, 4.16W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile9.779

EMH2314-TL-H

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 6V
Potenza - Max: 1.2W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-EMH

Disponibile24.437

VEC2415-TL-E

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V
Potenza - Max: 1W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-28FL/VEC8

Disponibile21.949

ECH8664R-TL-H

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: 1.4W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH

Disponibile23.450

ECH8649-TL-H

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 10V
Potenza - Max: 1.5W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-ECH

Disponibile9.048

IRL6372PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile16.979

IRLHS6376TR2PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Potenza - Max: 1.5W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PQFN (2x2)

Disponibile53

SI7964DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: 1.4W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual

Disponibile373

AO6804

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6TSOP

Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 10V
Potenza - Max: 800mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP

Disponibile40.240

SI1029X-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 60V SOT563F

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Tipo FET: N and P-Channel
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Potenza - Max: 250mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-89-6

Disponibile3.955

FDZ2554P

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA

Produttore: ON Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 10V
Potenza - Max: 2.1W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 18-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 18-BGA (2.5x4)

Disponibile974

IRF7905PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A, 8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile226

ZXMD63C03XTC

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo FET: N and P-Channel
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Potenza - Max: 1.04W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP

Disponibile392

ZXMD63C02XTC

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo FET: N and P-Channel
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V
Potenza - Max: 1.04W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP

Disponibile410

FDS9933

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Potenza - Max: 900mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile645

FDS8958

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Tipo FET: N and P-Channel
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 10V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile600

FDS4935

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile4.184

FDS6982

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A, 8.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Potenza - Max: 900mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile23.267

IRF7342PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile238

IRF7329PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile123

IRF7316PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile473

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