Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 836/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS- Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.516
STC5DNF30V STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile7.254
STC5NF20V STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile5.130
STC5NF30V STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile3.526
STC6NF30V STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 2.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile7.344
STL13DP10F6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56 Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 25V Potenza - Max: 62.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile3.526
STL15DN4F5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 25V Potenza - Max: 60W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile4.374
STL20DN10F7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56 Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 408pF @ 50V Potenza - Max: 62.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile4.932
STL20DNF06LAG STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V Potenza - Max: 75W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile6.732
STL36DN6F7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V Potenza - Max: 58W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile5.652
STL40C30H3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ VI Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 24V Potenza - Max: 60W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile3.528
STL40DN3LLH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V Potenza - Max: 60W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile6.066
STL50DN6F7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 30V Potenza - Max: 62.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile2.394
STL60N32N3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A, 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V Potenza - Max: 23W, 50W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile6.606
STL65DN3LLH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 65A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Potenza - Max: 60W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile7.020
STL66DN3LLH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 78.5A PWRFLAT56 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 78.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Potenza - Max: 72W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile3.492
STL7DN6LF3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 432pF @ 25V Potenza - Max: 52W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile2.124
STL8DN10LF3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V Potenza - Max: 70W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile989
STL8DN6LF3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V Potenza - Max: 65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile1.185
STS10DN3LH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile23.664
STS1DN45K3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.470
STS1DNC45 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Potenza - Max: 1.6W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.664
STS1DNF20 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.066
STS2DNF30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 121pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile41.340
STS2DPF80 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 739pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.678
STS3C2F100 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.086
STS3DNE60L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.682
STS3DPF60L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.848
STS4C3F60L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.310
STS4DNF30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.876

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