STL50DN6F7
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| Numero parte | STL50DN6F7 |
| PNEDA Part # | STL50DN6F7 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.394 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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STL50DN6F7 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STL50DN6F7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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STL50DN6F7 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | STripFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 57A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1035pF @ 30V |
| Potenza - Max | 62.5W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 15V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V Potenza - Max 320mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 230mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.82nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V Potenza - Max 320mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15.1pF @ 3V Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore US6 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.4nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2953pF @ 25V Potenza - Max 64W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-1205, 8-LFPAK56 Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56D |
