STS1DNC45
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| Numero parte | STS1DNC45 |
| PNEDA Part # | STS1DNC45 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.664 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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STS1DNC45 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STS1DNC45 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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STS1DNC45 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 450V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Potenza - Max | 1.6W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A, 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 15V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TISON-8 |
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