Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 833/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
SQJ990EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V Potenza - Max: 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	Disponibile5.292
SQJ992EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V Potenza - Max: 34W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile3.924
SQJB00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V Potenza - Max: 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile7.038
SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V Potenza - Max: 34W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile4.230
SQJB42EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Potenza - Max: 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile8.748
SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Potenza - Max: 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile5.940
SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V Potenza - Max: 27W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile6.210
SQJB70EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 25V Potenza - Max: 27W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile7.542
SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V Potenza - Max: 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile29.568
SQJB90EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V Potenza - Max: 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile5.238
SQJQ900E-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V Potenza - Max: 75W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 8 x 8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 8 x 8 Dual	Disponibile4.986
SQJQ904E-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V Potenza - Max: 75W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 8 x 8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 8 x 8 Dual	Disponibile7.578
SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3238pF @ 20V Potenza - Max: 187W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 8 x 8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 8 x 8 Dual	Disponibile2.610
SQJQ906E-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V Potenza - Max: 50W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 8 x 8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 8 x 8 Dual	Disponibile20.478
SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V Potenza - Max: 187W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 8 x 8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 8 x 8 Dual	Disponibile3.798
SQJQ960EL-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V Potenza - Max: 71W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 8 x 8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 8 x 8 Dual	Disponibile29.598
SQJQ980EL-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 40V Potenza - Max: 187W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 8 x 8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 8 x 8 Dual	Disponibile4.644
SQS944ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CHAN 40V Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V Potenza - Max: 27.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8W Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8W Dual	Disponibile6.318
SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CHAN 60V Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V Potenza - Max: 27.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8W Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8W Dual	Disponibile7.380
SQUN702E-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V, 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V Potenza - Max: 48W (Tc), 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile3.454
SSD2007ASTF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.310
SSD2007ATF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile4.356
SSD2009ATF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile4.716
SSD2025TF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile4.788
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA, 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile46.710
SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 250MA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: UF6	Disponibile4.158
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V, 218pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: UF6	Disponibile6.246
SSM6L13TU(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V, 250pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: UF6	Disponibile3.402
SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta), 720mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC, 1.76nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF, 110pF @ 10V Potenza - Max: 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile82.050
SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 0.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6 (1.6x1.6)	Disponibile4.212

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