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STS3DNE60L

STS3DNE60L

Solo per riferimento

Numero parte STS3DNE60L
PNEDA Part # STS3DNE60L
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.682
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STS3DNE60L Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTS3DNE60L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
STS3DNE60L, STS3DNE60L Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 308,5 KB)
PDFSTS3DNE60L Datasheet Copertura
STS3DNE60L Datasheet Pagina 2 STS3DNE60L Datasheet Pagina 3 STS3DNE60L Datasheet Pagina 4 STS3DNE60L Datasheet Pagina 5 STS3DNE60L Datasheet Pagina 6 STS3DNE60L Datasheet Pagina 7 STS3DNE60L Datasheet Pagina 8

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STS3DNE60L Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds815pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 25V

Potenza - Max

357W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

TUMT6

TT8M1TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

427pF @ 15V

Potenza - Max

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