Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
STS4DNF60 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.142
STS4DNF60L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile59.064
STS4DPF20L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V Potenza - Max: 1.6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.904
STS4DPF30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.660
STS5DNF20V STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.884
STS5DNF60L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.146
STS5DP3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ H6 Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 639pF @ 25V Potenza - Max: 2.7W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.418
STS5DPF20L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 16V Potenza - Max: 1.6W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.372
STS7C4F30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A, 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.508
STS8C5H30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A, 5.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.046
STS8DN3LLH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V Potenza - Max: 2.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.516
STS8DN6LF6AG STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V Potenza - Max: 3.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.624
STS8DNF3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V Potenza - Max: 1.6W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.174
STS8DNH3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile10.776
STS9D8NH3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A, 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.842
STZD3155CT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 540MA SOT563 Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.718
SUD50NP04-77P-T4E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V Potenza - Max: 10.8W, 24W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-4L	Disponibile6.588
TC1550TG-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile8.604
TC2320TG-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile2.754
TC6215TG-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile28.584
TC6320K6-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (4x4)	Disponibile4.374
TC6320TG-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile23.682
TC6321T-V/9U Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 200pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VDFN (6x5)	Disponibile7.272
TC7920K6-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 52pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 12-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 12-DFN (4x4)	Disponibile4.860
TC8020K6-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: 6 N and 6 P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 56-VFQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 56-QFN (8x8)	Disponibile27
TC8020K6-G-M937 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: 6 N and 6 P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 56-VFQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 56-QFN (8x8)	Disponibile3.042
TC8220K6-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 12-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 12-DFN (4x4)	Disponibile13.458
TD9944TG-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 240V 8SOIC Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile2.592
TMC1320-LA Trinamic Motion Control GmbH	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8PQFN Produttore: Trinamic Motion Control GmbH Serie: - Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.3A, 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3x3)	Disponibile8.550
TMC1340-SO Trinamic Motion Control GmbH	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC Produttore: Trinamic Motion Control GmbH Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 25V Potenza - Max: 1.38W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.268

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