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DS1230ABP-70IND+
DS1230ABP-70IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile7.920
DS1230ABP-70IND
DS1230ABP-70IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile3.582
DS1230W-100
DS1230W-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile4.482
DS1230W-100+
DS1230W-100+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.210
DS1230W-100IND
DS1230W-100IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile3.960
DS1230W-100IND+
DS1230W-100IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile3.744
DS1230W-150
DS1230W-150

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile550
DS1230W-150+
DS1230W-150+

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.488
DS1230WP-100+
DS1230WP-100+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile2.916
DS1230WP-150
DS1230WP-150

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile5.814
DS1230WP-150+
DS1230WP-150+

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile8.496
DS1230Y-100
DS1230Y-100

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile742
DS1230Y-100+
DS1230Y-100+

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile2.119
DS1230Y-120
DS1230Y-120

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile104
DS1230Y-120+
DS1230Y-120+

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile13.140
DS1230Y-120IND
DS1230Y-120IND

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile3
DS1230Y-120IND+
DS1230Y-120IND+

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile4.302
DS1230Y-150
DS1230Y-150

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.588
DS1230Y-150+
DS1230Y-150+

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile14.049
DS1230Y-200
DS1230Y-200

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.236
DS1230Y-200+
DS1230Y-200+

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile796
DS1230Y-200IND
DS1230Y-200IND

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.146
DS1230Y-200IND+
DS1230Y-200IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile5.850
DS1230Y-70
DS1230Y-70

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.012
DS1230Y-70+
DS1230Y-70+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile4.845
DS1230Y-70IND
DS1230Y-70IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile1.523
DS1230Y-70IND+
DS1230Y-70IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile25.578
DS1230Y-85
DS1230Y-85

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile775
DS1230Y-85+
DS1230Y-85+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.848
DS1230YP-100
DS1230YP-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile3.131