DS1230Y-120IND
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| Numero parte | DS1230Y-120IND | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | DS1230Y-120IND_5B | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | ||||||||||||||||||
| Produttore | Maxim Integrated | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 3 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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DS1230Y-120IND Risorse
| Brand | Maxim Integrated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DS1230Y-120IND |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
DS1230Y-120IND, DS1230Y-120IND Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 216,05 KB)
  
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DS1230Y-120IND Specifiche
| Produttore | Maxim Integrated |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 120ns |
| Tempo di accesso | 120ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 28-EDIP |
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