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Descrizione
Disponibile
Quantità
DS1225AD-70IND
DS1225AD-70IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile8.784
DS1225AD-70IND+
DS1225AD-70IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile959
DS1225AD-85
DS1225AD-85

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile5.544
DS1225AD-85+
DS1225AD-85+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile8.694
DS1225Y-150+
DS1225Y-150+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile19.573
DS1225Y-150IND+
DS1225Y-150IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile4.536
DS1225Y-170+
DS1225Y-170+

Maxim Integrated

Memoria

IC INTEGRATED CIRCUIT

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: *
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile5.670
DS1225Y-200+
DS1225Y-200+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile2.691
DS1225Y-200IND+
DS1225Y-200IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile5.220
DS1230AB-100
DS1230AB-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile2.766
DS1230AB-100+
DS1230AB-100+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.732
DS1230AB-120
DS1230AB-120

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile5.688
DS1230AB-120+
DS1230AB-120+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.894
DS1230AB-120IND
DS1230AB-120IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile3.330
DS1230AB-120IND+
DS1230AB-120IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile4.554
DS1230AB-150
DS1230AB-150

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile480
DS1230AB-150+
DS1230AB-150+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.168
DS1230AB-200
DS1230AB-200

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile2.574
DS1230AB-200+
DS1230AB-200+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile4.644
DS1230AB-200IND
DS1230AB-200IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile5.130
DS1230AB-70
DS1230AB-70

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.768
DS1230AB-70+
DS1230AB-70+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.012
DS1230AB-70IND
DS1230AB-70IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.092
DS1230AB-70IND+
DS1230AB-70IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.714
DS1230AB-85
DS1230AB-85

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.830
DS1230AB-85+
DS1230AB-85+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile3.654
DS1230ABP-100
DS1230ABP-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile6.979
DS1230ABP-100+
DS1230ABP-100+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile7.650
DS1230ABP-70
DS1230ABP-70

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile3.678
DS1230ABP-70+
DS1230ABP-70+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile5.634