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DS1249AB-100
DS1249AB-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile7.434
DS1249AB-70
DS1249AB-70

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile5.526
DS1249AB-70#
DS1249AB-70#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile27
DS1249AB-70IND
DS1249AB-70IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile3.960
DS1249AB-70IND#
DS1249AB-70IND#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile183
DS1249AB-85
DS1249AB-85

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile5.760
DS1249AB-85IND
DS1249AB-85IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile8.478
DS1249W-100
DS1249W-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile4.734
DS1249W-100#
DS1249W-100#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile2.448
DS1249W-100IND#
DS1249W-100IND#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile4.356
DS1249W-100IND
DS1249W-100IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile6.786
DS1249W-150
DS1249W-150

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile2.286
DS1249Y-100
DS1249Y-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile2.682
DS1249Y-100#
DS1249Y-100#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile6.210
DS1249Y-70
DS1249Y-70

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile2.016
DS1249Y-70#
DS1249Y-70#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile57
DS1249Y-70IND
DS1249Y-70IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile2.034
DS1249Y-70IND#
DS1249Y-70IND#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile6
DS1249Y-85#
DS1249Y-85#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile6.246
DS1249Y-85
DS1249Y-85

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile4.194
DS1249Y-85IND
DS1249Y-85IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile4.808
DS1249Y-85IND#
DS1249Y-85IND#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile8.964
DS1250AB-100
DS1250AB-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile7.884
DS1250AB-100+
DS1250AB-100+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile288
DS1250AB-100IND
DS1250AB-100IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile4.572
DS1250AB-100IND+
DS1250AB-100IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile21
DS1250AB-70
DS1250AB-70

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile2.250
DS1250AB-70+
DS1250AB-70+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile88
DS1250AB-70IND
DS1250AB-70IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile2.196
DS1250AB-70IND+
DS1250AB-70IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile6.012