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Descrizione
Disponibile
Quantità
DS1201
DS1201

Maxim Integrated

Memoria

IC SRAM 1K I2C 4MHZ 5SIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM
  • Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 4MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 5-SIP Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile7.758
DS1201+C02
DS1201+C02

Maxim Integrated

Memoria

IC SRAM 1KBIT 100NS 5SIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: *
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile8.244
DS1201N
DS1201N

Maxim Integrated

Memoria

IC SRAM 1K I2C 4MHZ 5SIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM
  • Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 4MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 5-SIP Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile2.952
DS1220AB-100
DS1220AB-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile4.716
DS1220AB-100+
DS1220AB-100+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile6.564
DS1220AB-100IND
DS1220AB-100IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile7.884
DS1220AB-100IND+
DS1220AB-100IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile7.758
DS1220AB-120
DS1220AB-120

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile2.772
DS1220AB-120+
DS1220AB-120+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile6.168
DS1220AB-150
DS1220AB-150

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile6.030
DS1220AB-150+
DS1220AB-150+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile5.040
DS1220AB-150IND
DS1220AB-150IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile3.330
DS1220AB-150IND+
DS1220AB-150IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile9.348
DS1220AB-200+
DS1220AB-200+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile6.744
DS1220AB-200IND
DS1220AB-200IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile5.022
DS1220AB-200IND+
DS1220AB-200IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile5.940
DS1220AD-100
DS1220AD-100

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile6.966
DS1220AD-100+
DS1220AD-100+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile6.606
DS1220AD-100IND
DS1220AD-100IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile2.664
DS1220AD-100IND+
DS1220AD-100IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile9.252
DS1220AD-120
DS1220AD-120

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile7.056
DS1220AD-120+
DS1220AD-120+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile930
DS1220AD-150
DS1220AD-150

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile2.970
DS1220AD-150+
DS1220AD-150+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile688
DS1220AD-200
DS1220AD-200

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile7.056
DS1220AD-200+
DS1220AD-200+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile698
DS1220AD-200IND
DS1220AD-200IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile5.580
DS1220AD-200IND+
DS1220AD-200IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile7.542
DS1220Y-100+
DS1220Y-100+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile3.960
DS1220Y-100IND+
DS1220Y-100IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile3.330