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Disponibile
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DS1220Y-120+
DS1220Y-120+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-DIP
Disponibile1.066
DS1220Y-150+
DS1220Y-150+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile6.339
DS1220Y-200+
DS1220Y-200+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile6.552
DS1220Y-200IND+
DS1220Y-200IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-EDIP
Disponibile1.044
DS1225AB-150
DS1225AB-150

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile5.022
DS1225AB-150+
DS1225AB-150+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.318
DS1225AB-150IND
DS1225AB-150IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.362
DS1225AB-150IND+
DS1225AB-150IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.048
DS1225AB-170+
DS1225AB-170+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 170ns
  • Tempo di accesso: 170ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.110
DS1225AB-200
DS1225AB-200

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile3.400
DS1225AB-200+
DS1225AB-200+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.356
DS1225AB-200IND
DS1225AB-200IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.030
DS1225AB-200IND+
DS1225AB-200IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.686
DS1225AB-70
DS1225AB-70

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile3.114
DS1225AB-70+
DS1225AB-70+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile4.608
DS1225AB-70IND
DS1225AB-70IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile2.340
DS1225AB-70IND+
DS1225AB-70IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.416
DS1225AB-85
DS1225AB-85

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile3.562
DS1225AB-85+
DS1225AB-85+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile8.694
DS1225AD-150
DS1225AD-150

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile4.500
DS1225AD-150+
DS1225AD-150+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile639
DS1225AD-150IND
DS1225AD-150IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.090
DS1225AD-150IND+
DS1225AD-150IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 150ns
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.452
DS1225AD-170+
DS1225AD-170+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 170ns
  • Tempo di accesso: 170ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile3.562
DS1225AD-200
DS1225AD-200

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile7.884
DS1225AD-200+
DS1225AD-200+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile1.215
DS1225AD-200IND
DS1225AD-200IND

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.228
DS1225AD-200IND+
DS1225AD-200IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile527
DS1225AD-70
DS1225AD-70

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile4.500
DS1225AD-70+
DS1225AD-70+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile6.318