Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
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Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SISB46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Potenza - Max: 23W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile3.780
SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V Potenza - Max: 69.4W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8SCD Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8SCD	Disponibile3.508
SISF02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V Potenza - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8SCD Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8SCD	Disponibile5.166
SISF20DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V Potenza - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8SCD Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8SCD	Disponibile5.364
SIX3134K-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Array N-CHANNELMOSFETSOT-563 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 16V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile256.266
SIX3439K-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Array N/P-CHANNELMOSFETSOT-563 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 750mA, 660mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF, 170pF @ 16V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile299.100
SIZ200DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH DUAL 30V Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V Potenza - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (3.3x3.3)	Disponibile6.714
SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Potenza - Max: 16.7W, 31W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair®	Disponibile8.748
SIZ320DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 Produttore: Vishay Siliconix Serie: PowerPAIR®, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V Potenza - Max: 16.7W, 31W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Power33 (3x3)	Disponibile28.218
SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V Potenza - Max: 16.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Power33 (3x3)	Disponibile5.472
SIZ328DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V Potenza - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Power33 (3x3)	Disponibile26.340
SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3 Produttore: Vishay Siliconix Serie: PowerPAIR®, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A, 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Potenza - Max: 16.7W, 31W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Power33 (3x3)	Disponibile53.958
SIZ342DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V Potenza - Max: 3.6W, 4.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Power33 (3x3)	Disponibile7.650
SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33 Produttore: Vishay Siliconix Serie: PowerPAIR®, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V Potenza - Max: 16W, 16.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Power33 (3x3)	Disponibile22.590
SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V Potenza - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Power33 (3x3)	Disponibile56.190
SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V Potenza - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Power33 (3x3)	Disponibile8.550
SIZ700DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 10V Potenza - Max: 2.36W, 2.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PowerPair™	Disponibile5.040
SIZ702DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Potenza - Max: 27W, 30W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PowerPair™	Disponibile7.506
SIZ704DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A, 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Potenza - Max: 20W, 30W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PowerPair™	Disponibile2.232
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V Potenza - Max: 27W, 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PowerPair™	Disponibile8.820
SIZ720DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V Potenza - Max: 27W, 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PowerPair™	Disponibile6.930
SIZ728DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 12.5V Potenza - Max: 27W, 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PowerPair™	Disponibile8.694
SIZ730DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V Potenza - Max: 27W, 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PowerPair™	Disponibile8.568
SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: SkyFET®, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V Potenza - Max: 27W, 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PowerPair™	Disponibile3.582
SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 19.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1830pF @ 15V Potenza - Max: 48W, 100W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PowerPair™	Disponibile7.668
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Potenza - Max: 29W, 66W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile29.004
SIZ904DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A, 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Potenza - Max: 20W, 33W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PowerPair™	Disponibile258
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V Potenza - Max: 48W, 100W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile5.886
SIZ914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A, 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V Potenza - Max: 22.7W, 100W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair®	Disponibile8.118
SIZ916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A, 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V Potenza - Max: 22.7W, 100W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile8.928

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