SISF02DN-T1-GE3
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| Numero parte | SISF02DN-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SISF02DN-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.166 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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SISF02DN-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SISF02DN-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SISF02DN-T1-GE3, SISF02DN-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 230,08 KB)
  
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SISF02DN-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30.5A (Ta), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2650pF @ 10V |
| Potenza - Max | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8SCD |
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