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SIZ720DT-T1-GE3

SIZ720DT-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SIZ720DT-T1-GE3
PNEDA Part # SIZ720DT-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.930
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIZ720DT-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIZ720DT-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SIZ720DT-T1-GE3, SIZ720DT-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 189,9 KB)
PDFSIZ720DT-T1-GE3 Datasheet Copertura
SIZ720DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SIZ720DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SIZ720DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SIZ720DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SIZ720DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SIZ720DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SIZ720DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SIZ720DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SIZ720DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SIZ720DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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SIZ720DT-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds825pF @ 10V
Potenza - Max27W, 48W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-PowerPair™
Pacchetto dispositivo fornitore6-PowerPair™

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1984pF @ 6V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5245pF @ 30V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 20V

Potenza - Max

20.8W

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V, 8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA, 775mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 20V

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Vgs (th) (Max) @ Id

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