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SIZ910DT-T1-GE3

SIZ910DT-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SIZ910DT-T1-GE3
PNEDA Part # SIZ910DT-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIZ910DT-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIZ910DT-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SIZ910DT-T1-GE3, SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 210,69 KB)
PDFSIZ910DT-T1-GE3 Datasheet Copertura
SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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SIZ910DT-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 15V
Potenza - Max48W, 100W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-PowerPair® (6x5)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 50V

Potenza - Max

2.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-Power 5x6

DMN5L06DMK-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

305mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

400mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

SI4816BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A, 8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W, 1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 3V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

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