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SIZ340DT-T1-GE3

SIZ340DT-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SIZ340DT-T1-GE3
PNEDA Part # SIZ340DT-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 53.958
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIZ340DT-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIZ340DT-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SIZ340DT-T1-GE3, SIZ340DT-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 367,23 KB)
PDFSIZ340DT-T1-GE3 Datasheet Copertura
SIZ340DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SIZ340DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SIZ340DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SIZ340DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SIZ340DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SIZ340DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SIZ340DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SIZ340DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SIZ340DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SIZ340DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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SIZ340DT-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SeriePowerPAIR®, TrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A, 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 15V
Potenza - Max16.7W, 31W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-Power33 (3x3)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

APTM120DSK57T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5155pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

SI6966EDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A, 2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Potenza - Max

960mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1932pF @ 15V

Potenza - Max

1.19W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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