Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
TPCA8102(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.446
TPCA8103(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7880pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.628
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.712
TPCA8120,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7420pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.624
TPCA8128,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.358
TPCA8A01-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1970pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.056
TPCA8A02-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3430pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.454
TPCA8A04-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.114
TPCC8001-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.330
TPCC8002-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.580
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.100
TPCC8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 22W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.852
TPCC8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.676
TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.806
TPCC8008(TE12L,QM) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile16.500
TPCC8009,LQ(O Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.760
TPCC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 18W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.490
TPCC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 17W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.698
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 15W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.398
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1860pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.9W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.244
TPCC8103(TE12L,QM) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.612
TPCC8A01-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.154
TPCF8101(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 6A VS-8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VS-8 (2.9x1.5) Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile2.772
TPCF8102(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VS-8 (2.9x1.5) Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile4.932
TPCF8104(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 6A VS-8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VS-8 (2.9x1.5) Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile3.096
TPCF8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 6A VS-8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VS-8 (2.9x1.5) Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile5.004
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3A VS-8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 330mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VS-8 (2.9x1.5) Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile5.976
TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 330mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VS-8 (2.9x1.5) Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile3.598
TPCP8001-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PS-8 (2.9x2.4) Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile2.970
TPCP8003-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 840mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PS-8 (2.9x2.4) Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile6.174

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