Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
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Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP (5.5x6.0) Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)	Disponibile2.448
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 35A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.428
TPCA8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.394
TPCA8007-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.946
TPCA8008-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 4A 8-SOPA Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.114
TPCA8008-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 4A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.736
TPCA8009-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 7A 8-SOPA Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.452
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.058
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.762
TPCA8011-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 40A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.232
TPCA8012-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3713pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.734
TPCA8016-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 25A 8-SOPA Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1375pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.686
TPCA8018-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2846pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.470
TPCA8021-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.282
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.640
TPCA8025(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.708
TPCA8026(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 45A 8-SOP ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile80.886
TPCA8028-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 50A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile25.722
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 24A SOP-8 ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.390
TPCA8036-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.586
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 46A 8-SOP ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7540pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile19.842
TPCA8048-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 35A 8-SOP ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7540pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.496
TPCA8051-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 28A 8-SOP ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7540pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile48.252
TPCA8052-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.880
TPCA8055-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 70W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.866
TPCA8056-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 63W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.526
TPCA8057-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 42A 8SOP-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.664
TPCA8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.842
TPCA8064-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 32W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.868
TPCA8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.974

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