TPCP8003-H(TE85L,F
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| Numero parte | TPCP8003-H(TE85L,F |
| PNEDA Part # | TPCP8003-H-TE85L-F |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.174 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPCP8003-H(TE85L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPCP8003-H(TE85L,F |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
TPCP8003-H(TE85L, TPCP8003-H(TE85L Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 210,63 KB)
  
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TPCP8003-H(TE85L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIII-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 840mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PS-8 (2.9x2.4) |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
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