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TPCC8067-H,LQ(S

TPCC8067-H,LQ(S

Solo per riferimento

Numero parte TPCC8067-H,LQ(S
PNEDA Part # TPCC8067-H-LQ-S
Descrizione MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.398
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TPCC8067-H Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTPCC8067-H,LQ(S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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TPCC8067-H Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSVII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds690pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta), 15W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 440µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

101W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APT17F120J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

580mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9670pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

545W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

IPU05N03LA G

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3110pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

94W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

P-TO251-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Produttore

IXYS

Serie

GigaMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

170V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

210A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

285nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IPA60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 260µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

29W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-FP

Pacchetto / Custodia

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Toshiba Semiconductor and Storage

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