Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2320pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile48.144
TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 80V 34A SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 61W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.322
TPH8R80ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 61W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile79.320
TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 20A 8SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 24W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile27.234
TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile89.892
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9600pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta), 170W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile39.402
TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile51.564
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7540pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 132W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.768
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 19W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.934
TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile87.162
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 39W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.616
TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.168
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.046
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile38.214
TPN1R603PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.788
TPN2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 39W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.844
TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 18W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.340
TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.006
TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 80A TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 0.3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 630mW (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.322
TPN2R503NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 35W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.646
TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.248
TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 139A (Ta), 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.2nF @ 22.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.67W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.816
TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile29.418
TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile46.746
TPN3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 80A TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 0.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 630mW (Ta), 86W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile130.638
TPN4R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 22W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.204
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 34W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile219.186
TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile39.870
TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 75V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 39W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.352
TPN6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 32W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.176

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