Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 844/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
ZXMC4559DN8TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.068
ZXMC4A16DN8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.284
ZXMC4A16DN8TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.884
ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A, 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile5.976
ZXMD63C02XTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile6.552
ZXMD63C02XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile410
ZXMD63C03XTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile4.122
ZXMD63C03XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile392
ZXMD63N02XTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 15V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile7.884
ZXMD63N02XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 15V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile2.592
ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile6.264
ZXMD63N03XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile2.664
ZXMD63P02XTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile8.388
ZXMD63P02XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile7.632
ZXMD63P03XTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile7.182
ZXMD63P03XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Potenza - Max: 1.04W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP	Disponibile8.838
ZXMD65N02N8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.878
ZXMD65N03N8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.708
ZXMD65P02N8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 15V Potenza - Max: 1.75W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.678
ZXMD65P02N8TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 15V Potenza - Max: 1.75W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.268
ZXMD65P03N8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 25V Potenza - Max: 1.75W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.336
ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA, 680mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V Potenza - Max: 870mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile8.478
ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A, 800mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-223-8 Pacchetto dispositivo fornitore: SM8	Disponibile92.514
ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.17A, 1.64A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V Potenza - Max: 870mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile18.876
ZXMHC3A01T8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-223-8 Pacchetto dispositivo fornitore: SM8	Disponibile64.182
ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.98A, 3.36A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V Potenza - Max: 870mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile385.818
ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.39A, 1.28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V Potenza - Max: 870mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile95.628
ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A, 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-223-8 Pacchetto dispositivo fornitore: SM8	Disponibile42.420
ZXMHN6A07T8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V Potenza - Max: 1.6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-223-8 Pacchetto dispositivo fornitore: SM8	Disponibile3.366
ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile12.888

«
‹
1
...
841
842
843
844 (current)
845
846
847
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message