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ZXMD63C02XTA

ZXMD63C02XTA

Solo per riferimento

Numero parte ZXMD63C02XTA
PNEDA Part # ZXMD63C02XTA
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.552
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMD63C02XTA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMD63C02XTA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMD63C02XTA, ZXMD63C02XTA Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 322,82 KB)
PDFZXMD63C02XTC Datasheet Copertura
ZXMD63C02XTC Datasheet Pagina 2 ZXMD63C02XTC Datasheet Pagina 3 ZXMD63C02XTC Datasheet Pagina 4 ZXMD63C02XTC Datasheet Pagina 5 ZXMD63C02XTC Datasheet Pagina 6 ZXMD63C02XTC Datasheet Pagina 7 ZXMD63C02XTC Datasheet Pagina 8 ZXMD63C02XTC Datasheet Pagina 9 ZXMD63C02XTC Datasheet Pagina 10 ZXMD63C02XTC Datasheet Pagina 11

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  • ZXMD63C02XTA Distributor

ZXMD63C02XTA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 15V
Potenza - Max1.04W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-MSOP

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Produttore

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Serie

CoolMOS™

Tipo FET

3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

83mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

IRF5810

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 16V

Potenza - Max

960mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

DMN5L06DMKQ-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

305mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

400mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

SI6913DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

CSD88599Q5DCT

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Produttore

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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