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ZXMHC10A07T8TA

ZXMHC10A07T8TA

Solo per riferimento

Numero parte ZXMHC10A07T8TA
PNEDA Part # ZXMHC10A07T8TA
Descrizione MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 92.514
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMHC10A07T8TA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMHC10A07T8TA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMHC10A07T8TA, ZXMHC10A07T8TA Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 718,08 KB)
PDFZXMHC10A07T8TA Datasheet Copertura
ZXMHC10A07T8TA Datasheet Pagina 2 ZXMHC10A07T8TA Datasheet Pagina 3 ZXMHC10A07T8TA Datasheet Pagina 4 ZXMHC10A07T8TA Datasheet Pagina 5 ZXMHC10A07T8TA Datasheet Pagina 6 ZXMHC10A07T8TA Datasheet Pagina 7 ZXMHC10A07T8TA Datasheet Pagina 8 ZXMHC10A07T8TA Datasheet Pagina 9 ZXMHC10A07T8TA Datasheet Pagina 10

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ZXMHC10A07T8TA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1A, 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds138pF @ 60V
Potenza - Max1.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-223-8
Pacchetto dispositivo fornitoreSM8

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IRF7905TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.8A, 8.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

DMTH6010LPD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2615pF @ 30V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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PMDPB70EN,115

Nexperia

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 15V

Potenza - Max

510mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.6A (Ta), 43.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

733pF @ 20V

Potenza - Max

2.41W (Ta), 42.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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