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ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC

Solo per riferimento

Numero parte ZXMHC3A01N8TC
PNEDA Part # ZXMHC3A01N8TC
Descrizione MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.876
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMHC3A01N8TC Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMHC3A01N8TC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMHC3A01N8TC, ZXMHC3A01N8TC Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 721,94 KB)
PDFZXMHC3A01N8TC Datasheet Copertura
ZXMHC3A01N8TC Datasheet Pagina 2 ZXMHC3A01N8TC Datasheet Pagina 3 ZXMHC3A01N8TC Datasheet Pagina 4 ZXMHC3A01N8TC Datasheet Pagina 5 ZXMHC3A01N8TC Datasheet Pagina 6 ZXMHC3A01N8TC Datasheet Pagina 7 ZXMHC3A01N8TC Datasheet Pagina 8 ZXMHC3A01N8TC Datasheet Pagina 9 ZXMHC3A01N8TC Datasheet Pagina 10 ZXMHC3A01N8TC Datasheet Pagina 11

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  • ZXMHC3A01N8TC Distributor

ZXMHC3A01N8TC Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.17A, 1.64A
Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 25V
Potenza - Max870mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

Potenza - Max

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 935µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.1mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2565pF @ 10V

Potenza - Max

2.6W (Ta), 23W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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