Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 806/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
QH8KA1TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 30V NCH+NCH POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile5.058
QH8KA2TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 30V NCH+NCH POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile8.802
QH8KA4TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile48.156
QH8M22TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC, 9.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF, 450pF @ 20V Potenza - Max: 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile27.474
QH8MA2TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile29.460
QH8MA3TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A, 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile3.780
QH8MA4TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A, 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile7.524
QJD1210010 Powerex Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC Produttore: Powerex Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 800V Potenza - Max: 1080W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile8.136
QJD1210011 Powerex Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC Produttore: Powerex Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 800V Potenza - Max: 900W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile3.060
QJD1210SA1 Powerex Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC Produttore: Powerex Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 34mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8200pF @ 10V Potenza - Max: 520W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile2.376
QJD1210SA2 Powerex Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC Produttore: Powerex Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 34mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8200pF @ 10V Potenza - Max: 415W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile3.744
QJD1210SB1 Powerex Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC Produttore: Powerex Inc. Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.852
QS5K2TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT5	Disponibile1.372.938
QS6J11TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V Potenza - Max: 600mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95)	Disponibile56.286
QS6J1TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95)	Disponibile3.546
QS6J3TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95)	Disponibile4.464
QS6K1TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95)	Disponibile219.246
QS6K21TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95)	Disponibile210.966
QS6M3TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95)	Disponibile280.818
QS6M4TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95)	Disponibile7.506
QS8J11TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 6V Potenza - Max: 550mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile3.436
QS8J12TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 6V Potenza - Max: 550mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile5.130
QS8J13TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile3.598
QS8J1TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile2.340
QS8J2TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V Potenza - Max: 550mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile6.732
QS8J4TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Potenza - Max: 550mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile4.896
QS8J5TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V Potenza - Max: 600mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile8.154
QS8K11TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile5.832
QS8K13TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V Potenza - Max: 550mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile5.616
QS8K21TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Potenza - Max: 550mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile3.546

«
‹
1
...
803
804
805
806 (current)
807
808
809
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message