Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
PHKD13N03LT,518 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V Potenza - Max: 3.57W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.552
PHKD3NQ10T,518 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 633pF @ 20V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.572
PHKD6N02LT,518 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Potenza - Max: 4.17W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.336
PHN203,518 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 20V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.690
PHN210,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 20V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.264
PHN210T,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 20V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.122
PHP225,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 20V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.582
PMCM650CUNEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array PMCM650CUNE NAX000 NONE Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 556mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFBGA, WLCSP Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WLCSP (1.48x0.98)	Disponibile5.814
PMCPB5530X,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Potenza - Max: 490mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON-EP (2x2)	Disponibile318.150
PMCXB1000UEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 590mA (Ta), 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V Potenza - Max: 285mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile4.302
PMCXB900UELZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Potenza - Max: 380mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile8.874
PMCXB900UEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA, 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Potenza - Max: 265mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile550.872
PMDPB28UN,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V Potenza - Max: 510mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020-6	Disponibile4.716
PMDPB30XN,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Potenza - Max: 490mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON-EP (2x2)	Disponibile4.536
PMDPB38UNE,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V Potenza - Max: 510mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020-6	Disponibile6.426
PMDPB42UN,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 10V Potenza - Max: 510mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020-6	Disponibile7.128
PMDPB55XP,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Potenza - Max: 490mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON-EP (2x2)	Disponibile3.492
PMDPB56XN,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 15V Potenza - Max: 510mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020-6	Disponibile2.862
PMDPB56XNEAX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V Potenza - Max: 485mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020D-6	Disponibile5.670
PMDPB58UPE,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V Potenza - Max: 515mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON-EP (2x2)	Disponibile67.674
PMDPB65UP,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 10V Potenza - Max: 520mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020-6	Disponibile3.762
PMDPB70EN,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 15V Potenza - Max: 510mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON-EP (2x2)	Disponibile7.704
PMDPB70XP,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 15V Potenza - Max: 490mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON-EP (2x2)	Disponibile2.448
PMDPB70XPE,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Potenza - Max: 515mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON-EP (2x2)	Disponibile144.852
PMDPB760ENX WeEn Semiconductors	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET AXIAL Produttore: WeEn Semiconductors Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.092
PMDPB80XP,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Potenza - Max: 485mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON-EP (2x2)	Disponibile6.048
PMDPB85UPE,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 10V Potenza - Max: 515mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON-EP (2x2)	Disponibile6.228
PMDPB95XNE,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 15V Potenza - Max: 475mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020-6	Disponibile3.924
PMDPB95XNE2X Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 258pF @ 15V Potenza - Max: 510mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON-EP (2x2)	Disponibile22.344
PMDT290UCE,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT666 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA, 550mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666	Disponibile344.952

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