Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
PMDT290UNE,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666	Disponibile189.366
PMDT290UNEYL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array PMDT290UNE/SOT666/SOT6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Potenza - Max: 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666	Disponibile6.408
PMDT670UPE,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 550mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V Potenza - Max: 330mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666	Disponibile145.830
PMDXB1200UPEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V Potenza - Max: 285mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile105.240
PMDXB550UNEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 590mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V Potenza - Max: 285mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile8.118
PMDXB600UNELZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Potenza - Max: 380mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile3.454
PMDXB600UNEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Potenza - Max: 265mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile153.000
PMDXB950UPELZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Potenza - Max: 380mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile48.132
PMDXB950UPEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Potenza - Max: 265mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile3.582
PMGD130UN,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Potenza - Max: 390mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile6.120
PMGD175XN,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 900mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 15V Potenza - Max: 390mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile5.976
PMGD175XNEAX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V Potenza - Max: 390mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile8.640
PMGD175XNEX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 870mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V Potenza - Max: 260mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile225.348
PMGD280UN,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 870mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile57.954
PMGD290UCEAX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 725mA, 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Potenza - Max: 280mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile2.196
PMGD290XN,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V Potenza - Max: 410mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile1.393.986
PMGD370XN,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 740mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V Potenza - Max: 410mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile5.418
PMGD400UN,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 710mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V Potenza - Max: 410mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile4.680
PMGD780SN,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 490mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V Potenza - Max: 410mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile108.426
PMGD8000LN,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 125mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 5V Potenza - Max: 200mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSSOP	Disponibile5.634
PMWD15UN,518 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 16V Potenza - Max: 4.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile3.024
PMWD16UN,518 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1366pF @ 16V Potenza - Max: 3.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile7.902
PMWD19UN,518 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1478pF @ 10V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile4.176
PMWD20XN,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 16V Potenza - Max: 4.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile6.282
PMWD26UN,518 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1366pF @ 16V Potenza - Max: 3.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile4.176
PMWD30UN,518 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1478pF @ 10V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile6.192
QH8JA1TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile3.744
QH8K22TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V Potenza - Max: 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile22.350
QH8K26TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array QH8K26 IS LOW ON-RESISTANCE AND Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V Potenza - Max: 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile27.846
QH8K51TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array QH8K51 IS THE LOW ON - RESISTANC Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Potenza - Max: 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8	Disponibile26.208

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