Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

QS8J11TCR

QS8J11TCR

Solo per riferimento

Numero parte QS8J11TCR
PNEDA Part # QS8J11TCR
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.436
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

QS8J11TCR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteQS8J11TCR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
QS8J11TCR, QS8J11TCR Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 2.396,95 KB)
PDFQS8J11TCR Datasheet Copertura
QS8J11TCR Datasheet Pagina 2 QS8J11TCR Datasheet Pagina 3 QS8J11TCR Datasheet Pagina 4 QS8J11TCR Datasheet Pagina 5 QS8J11TCR Datasheet Pagina 6 QS8J11TCR Datasheet Pagina 7 QS8J11TCR Datasheet Pagina 8 QS8J11TCR Datasheet Pagina 9 QS8J11TCR Datasheet Pagina 10 QS8J11TCR Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • QS8J11TCR Datasheet
  • where to find QS8J11TCR
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor QS8J11TCR
  • QS8J11TCR PDF Datasheet
  • QS8J11TCR Stock

  • QS8J11TCR Pinout
  • Datasheet QS8J11TCR
  • QS8J11TCR Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • QS8J11TCR Price
  • QS8J11TCR Distributor

QS8J11TCR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 1.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 6V
Potenza - Max550mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreTSMT8

I prodotti a cui potresti essere interessato

SI5513CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

285pF @ 10V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1140pF @ 30V

Potenza - Max

27W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

MMDF1N05ER2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ALD110808ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

810mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

FDMS3600S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 13V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

Power56

Venduto di recente

IRF9310TRPBF

IRF9310TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC

LTST-C150CKT

LTST-C150CKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR 1206 SMD

BLM18SG121TN1D

BLM18SG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

MBR360G

MBR360G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD

MCP23017-E/SP

MCP23017-E/SP

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SDIP

ATMEGA169P-16AU

ATMEGA169P-16AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 64TQFP

B3S-1000P

B3S-1000P

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

ATMEGA2560-16AU

ATMEGA2560-16AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 256KB FLASH 100TQFP

FDS9431A

FDS9431A

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC

SF-1206F200-2

SF-1206F200-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 2A 63VDC 1206

EDZVT2R16B

EDZVT2R16B

Rohm Semiconductor

DIODE ZENER 16V 150MW EMD2

DG408DY-T1-E3

DG408DY-T1-E3

Vishay Siliconix

IC MULTIPLEXER 8X1 16SOIC