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PHKD6N02LT,518

PHKD6N02LT,518

Solo per riferimento

Numero parte PHKD6N02LT,518
PNEDA Part # PHKD6N02LT-518
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.336
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PHKD6N02LT Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePHKD6N02LT,518
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PHKD6N02LT, PHKD6N02LT Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 743,74 KB)
PDFPHKD6N02LT Datasheet Copertura
PHKD6N02LT Datasheet Pagina 2 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 3 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 4 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 5 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 6 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 7 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 8 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 9 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 10 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 11

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PHKD6N02LT Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds950pF @ 10V
Potenza - Max4.17W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.7mOhm @ 16.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

825pF @ 10V

Potenza - Max

27W, 48W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4840pF @ 30V

Potenza - Max

12W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

713pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 15V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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60V, 300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A, 300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 650mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.95V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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