Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MSRT20060(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.598
MSRT20080(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.542
MSRT20080(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile4.860
MSRT250100(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile8.802
MSRT250120(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.436
MSRT250140(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.110
MSRT250160(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile6.534
MSRT25060(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile6.534
MSRT25080(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile3.204
MSRTA200100(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile4.266
MSRTA200120(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.382
MSRTA200140(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1400V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile3.204
MSRTA200160(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile6.282
MSRTA20060(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile3.562
MSRTA20080(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile8.928
MSRTA300100(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 1000V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile3.510
MSRTA300120(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile8.010
MSRTA300140(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 1400V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile6.714
MSRTA300160(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile4.284
MSRTA30060(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.074
MSRTA30060(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.148
MSRTA30080(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile2.100
MSRTA30080(A)D GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 800V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile3.168
MSRTA400100(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile4.608
MSRTA400120(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile6.120
MSRTA400140(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.724
MSRTA400160(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.472
MSRTA40060(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile2.088
MSRTA40080(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 800V 400A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.490
MSRTA500100(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.002

MSRT20060(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.598

MSRT20080(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.542

MSRT20080(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile4.860

MSRT250100(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile8.802

MSRT250120(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.436

MSRT250140(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.110

MSRT250160(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile6.534

MSRT25060(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile6.534

MSRT25080(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 250A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile3.204

MSRTA200100(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1000V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile4.266

MSRTA200120(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.382

MSRTA200140(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1400V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile3.204

MSRTA200160(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile6.282

MSRTA20060(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile3.562

MSRTA20080(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile8.928

MSRTA300100(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 1000V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile3.510

MSRTA300120(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile8.010

MSRTA300140(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 1400V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile6.714

MSRTA300160(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile4.284

MSRTA30060(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.074

MSRTA30060(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.148

MSRTA30080(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile2.100

MSRTA30080(A)D

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Series Connection
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 800V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile3.168

MSRTA400100(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile4.608

MSRTA400120(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile6.120

MSRTA400140(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.724

MSRTA400160(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.472

MSRTA40060(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile2.088

MSRTA40080(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 800V 400A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 400A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.490

MSRTA500100(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.002

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