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MSRTA400120(A)

MSRTA400120(A)

Solo per riferimento

Numero parte MSRTA400120(A)
PNEDA Part # MSRTA400120-A
Descrizione DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.120
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MSRTA400120(A) Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMSRTA400120(A)
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MSRTA400120(A), MSRTA400120(A) Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 425,08 KB)
PDFMSRTA400160(A) Datasheet Copertura
MSRTA400160(A) Datasheet Pagina 2

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MSRTA400120(A) Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)400A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 400A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

120V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

6µA @ 120V

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

FEPB16HT-E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

500V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 500V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

420mV @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

1.3ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

120µA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-665

Pacchetto dispositivo fornitore

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

600A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 300A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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