Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MSRTA500120(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.778
MSRTA500140(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile6.696
MSRTA500160(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile8.604
MSRTA50060(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile3.438
MSRTA50080(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile7.578
MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: - Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD Module Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.274
MSRTA600100(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 600A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD Module Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile2.160
MSRTA600120(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 600A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD Module Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile4.320
MSRTA600140(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 600A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD Module Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile4.482
MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: - Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD Module Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile4.986
MSRTA60060(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 600A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile8.406
MSRTA60080(A) GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 600A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower	Disponibile5.220
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile5.796
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile4.788
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile7.110
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.402
MUR10020CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile4.824
MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile4.014
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile6.696
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile4.104
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 110ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile5.076
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 110ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile4.392
MUR1020CT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: FRED Pt® Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 990mV @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile7.092
MUR1610CT ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 100V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile6.012
MUR1610CTG ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 100V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile86
MUR1615CT ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 150V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile8.910
MUR1615CTG ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 150V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile1.776
MUR1620CT ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile6.732
MUR1620CT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: FRED Pt® Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile4.824
MUR1620CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile6.822

MSRTA500120(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.778

MSRTA500140(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile6.696

MSRTA500160(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile8.604

MSRTA50060(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile3.438

MSRTA50080(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 500A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile7.578

MSRTA6001

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: -
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: 3-SMD Module
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.274

MSRTA600100(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 600A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: 3-SMD Module
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile2.160

MSRTA600120(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 600A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: 3-SMD Module
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile4.320

MSRTA600140(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 600A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: 3-SMD Module
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile4.482

MSRTA6001R

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: -
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: 3-SMD Module
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile4.986

MSRTA60060(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 600A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile8.406

MSRTA60080(A)

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 600A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 600A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Three Tower

Disponibile5.220

MUR10005CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile5.796

MUR10005CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile4.788

MUR10010CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile7.110

MUR10010CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.402

MUR10020CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile4.824

MUR10020CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile4.014

MUR10040CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 90ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile6.696

MUR10040CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 90ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile4.104

MUR10060CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 110ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile5.076

MUR10060CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 110ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile4.392

MUR1020CT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: FRED Pt®
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 990mV @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile7.092

MUR1610CT

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 100V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile6.012

MUR1610CTG

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 100V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile86

MUR1615CT

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 150V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile8.910

MUR1615CTG

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 150V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile1.776

MUR1620CT

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile6.732

MUR1620CT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: FRED Pt®
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile4.824

MUR1620CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile6.822

Send Message

Certifications

Diodi e raddrizzatori

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message