Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MUR1620CTG ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile47.850
MUR1620CTH ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURPOSE Produttore: ON Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3	Disponibile3.510
MUR1620CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile4.176
MUR1620CTR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 85ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile10.436
MUR1620CTRG ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 85ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile42.942
MUR1620CTRH ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURPOSE Produttore: ON Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 85ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3	Disponibile8.280
MUR1640CT ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 400V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.30V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile184
MUR1640CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 400V 16A TO220AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile2.592
MUR1640CTG ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 400V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.30V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile6.636
MUR1640CTH ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURPOSE Produttore: ON Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3	Disponibile4.698
MUR1640CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 400V 16A TO220AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile5.058
MUR1660CT ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile264
MUR1660CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile6.408
MUR1660CTG ON Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile15.888
MUR1660CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile4.662
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile7.398
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile8.316
MUR20010CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile6.336
MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.978
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile2.736
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.618
MUR20040CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile2.862
MUR20040CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile2.124
MUR20060CT GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 110ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.924
MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 110ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower	Disponibile3.780
MUR2020CT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Array DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: FRED Pt® Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile6.390
MUR2X030A02 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.138
MUR2X030A04 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 400V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile8.532
MUR2X030A06 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile5.688
MUR2X030A10 GeneSiC Semiconductor	Raddrizzatori - Array DIODE GEN PURP 1000V 60A SOT227 Produttore: GeneSiC Semiconductor Serie: - Configurazione diodi: 2 Independent Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 85ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 1000V Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile4.014

MUR1620CTG

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile47.850

MUR1620CTH

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURPOSE

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3

Disponibile3.510

MUR1620CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile4.176

MUR1620CTR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 85ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile10.436

MUR1620CTRG

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 85ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile42.942

MUR1620CTRH

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURPOSE

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 85ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3

Disponibile8.280

MUR1640CT

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 400V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.30V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile184

MUR1640CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 400V 16A TO220AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile2.592

MUR1640CTG

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 400V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.30V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile6.636

MUR1640CTH

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURPOSE

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3

Disponibile4.698

MUR1640CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 400V 16A TO220AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile5.058

MUR1660CT

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile264

MUR1660CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile6.408

MUR1660CTG

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile15.888

MUR1660CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 16A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile4.662

MUR20005CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile7.398

MUR20005CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile8.316

MUR20010CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile6.336

MUR20010CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.978

MUR20020CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile2.736

MUR20020CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.618

MUR20040CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 90ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile2.862

MUR20040CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 90ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile2.124

MUR20060CT

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 110ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.924

MUR20060CTR

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 1 Pair Common Anode
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 110ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore: Twin Tower

Disponibile3.780

MUR2020CT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Array

DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: FRED Pt®
Configurazione diodi: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB

Disponibile6.390

MUR2X030A02

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile6.138

MUR2X030A04

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 400V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile8.532

MUR2X030A06

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile5.688

MUR2X030A10

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Array

DIODE GEN PURP 1000V 60A SOT227

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Configurazione diodi: 2 Independent
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 85ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 1000V
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227

Disponibile4.014

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